Личный кабинет
Характеристики
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]FDA59N30 является N-канальным UniFET™ МОП-транзистором 300В на базе технологий планарной полосы и DMOS технологии. Этот высоковольтный МОП-транзистор был разработан для снижения сопротивления в активном состоянии, улучшения коммутационной производительности и увеличенной мощности лавинной энергии. Эффективность обратного восстановления паразитного диода UniFET FRFET® МОП-транзистора улучшилась благодаря управлению срока службы. Его показатели TRR меньше 100нс, а обратная устойчивость dv/dt составляет 15В/нс, тогда как обычные планарные МОП-транзисторы обладают более параметрами 200нс и 4.5В/нс соответственно. Таким образом, он может удалить дополнительный компонент и повысить надежность системы в некоторых устройствах, в которых важным критерием является производительность паразитного диода МОП-транзистора. Это семейство устройств подходит для приложений переключения преобразования мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизора с плоской панелью (FP
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
Загрузка