11

SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]

Поставка электронных компонентов в Челябинск

14,00 руб.

x 14,00 = 14,00
Артикул: 1126799 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней14,00руб.13,02руб.12,60руб.12,32руб.11,48руб.11,20руб.10,92руб.10,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней25,34руб.23,24руб.22,82руб.22,26руб.20,72руб.20,30руб.19,74руб.17,78руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней32,76руб.30,24руб.29,54руб.28,84руб.26,88руб.26,18руб.25,62руб.22,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней16,80руб.15,40руб.15,12руб.14,70руб.13,72руб.13,44руб.13,02руб.11,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней32,34руб.29,82руб.29,12руб.28,42руб.27,58руб.26,60руб.25,20руб.22,68руб.

Характеристики

SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]The SI2301BDS-T1-E3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• 100% Rg tested
• -55 to 150 C Operating temperature range

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

p-канал