75

STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом

Поставка электронных компонентов в Челябинск

180,00 руб.

x 180,00 = 180,00
Артикул: 1126909 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней180,00руб.167,40руб.162,00руб.158,40руб.153,00руб.144,00руб.140,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней338,40руб.311,40руб.306,00руб.298,80руб.288,00руб.271,80руб.264,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней343,80руб.316,80руб.309,60руб.302,40руб.288,00руб.273,60руб.268,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней216,00руб.198,00руб.194,40руб.189,00руб.183,60руб.172,80руб.167,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней313,20руб.288,00руб.280,80руб.275,40руб.266,40руб.250,20руб.243,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней196,20руб.181,80руб.176,40руб.172,80руб.167,40руб.156,60руб.153,00руб.

Характеристики

STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Корпус

to247
Структура

n-канал