52н

AUIRFB4410, Транзистор, Auto Q101 Nкан 100В 75А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Челябинск

500,00 руб.

x 500,00 = 500,00
Артикул: 1126989 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней500,00руб.465,00руб.450,00руб.440,00руб.425,00руб.400,00руб.390,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней940,00руб.865,00руб.850,00руб.830,00руб.800,00руб.755,00руб.735,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней955,00руб.880,00руб.860,00руб.840,00руб.800,00руб.760,00руб.745,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней600,00руб.550,00руб.540,00руб.525,00руб.510,00руб.480,00руб.465,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней870,00руб.800,00руб.780,00руб.765,00руб.740,00руб.695,00руб.675,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней545,00руб.505,00руб.490,00руб.480,00руб.465,00руб.435,00руб.425,00руб.

Характеристики

AUIRFB4410, Транзистор, Auto Q101 Nкан 100В 75А [TO-220AB]Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал