47

Транзистор IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]

Поставка электронных компонентов в Челябинск

270,00 руб.

x 270,00 = 270,00
Артикул: 1128311 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней270,00руб.251,10руб.243,00руб.237,60руб.229,50руб.216,00руб.210,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней507,60руб.467,10руб.459,00руб.448,20руб.432,00руб.407,70руб.396,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней515,70руб.475,20руб.464,40руб.453,60руб.432,00руб.410,40руб.402,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней324,00руб.297,00руб.291,60руб.283,50руб.275,40руб.259,20руб.251,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней469,80руб.432,00руб.421,20руб.413,10руб.399,60руб.375,30руб.364,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней294,30руб.272,70руб.264,60руб.259,20руб.251,10руб.234,90руб.229,50руб.

Характеристики

IRG4PF50WDPBF, IGBT 900В 51А 100кГц, [TO-247]The IRG4PF50WDPBF is a 900V Warp 20 to 100kHz copack IGBT with ultrafast soft recovery diode designed for switch mode power supply, welding and PFC applications. Latest generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution and exceptional reliability. Low conduction losses and minimal minority carrier recombination makes as an excellent option for resonant mode switching (up to >100kHz). HEXFRED diodes optimized for performance and used in bridge configurations.

• 50% Reduction of Eoff parameter
• Lower switching losses allow more effective operation in replacing large die MOSFET up to 100kHz

Дополнительная информация

Корпус

to-247ac
Структура

n-канал+диод