4

Транзистор IRG7PH35UDPBF, IGBT 1200В 20А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Челябинск

580,00 руб.

x 580,00 = 580,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней580,00руб.539,40руб.522,00руб.510,40руб.493,00руб.464,00руб.452,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.090,40руб.1.003,40руб.986,00руб.962,80руб.928,00руб.875,80руб.852,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.107,80руб.1.020,80руб.997,60руб.974,40руб.928,00руб.881,60руб.864,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней696,00руб.638,00руб.626,40руб.609,00руб.591,60руб.556,80руб.539,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.009,20руб.928,00руб.904,80руб.887,40руб.858,40руб.806,20руб.783,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней632,20руб.585,80руб.568,40руб.556,80руб.539,40руб.504,60руб.493,00руб.

Характеристики

IRG7PH35UDPBF, IGBT 1200В 20А [TO-247AC]Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Дополнительная информация

Корпус

to-247ac

Структура

n-канал+диод