9

STS2DNF30L, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3 А

Поставка электронных компонентов в Челябинск

70,00 руб.

x 70,00 = 70,00
Артикул: 1131926 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней70,00руб.65,10руб.63,00руб.61,60руб.57,40руб.56,00руб.54,60руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней126,70руб.116,20руб.114,10руб.111,30руб.103,60руб.101,50руб.98,70руб.88,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней163,80руб.151,20руб.147,70руб.144,20руб.134,40руб.130,90руб.128,10руб.114,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней84,00руб.77,00руб.75,60руб.73,50руб.68,60руб.67,20руб.65,10руб.58,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней161,70руб.149,10руб.145,60руб.142,10руб.137,90руб.133,00руб.126,00руб.113,40руб.

Характеристики

STS2DNF30L, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3 А The STS2DNF30L is a dual N-channel STripFET™ Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique «single feature size» strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Standard outline for easy automated surface-mount assembly
• Low threshold gate drive

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

1.6Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

3А