NDB6060L, МОП-транзистор, N Канал, 48 А, 60 В, 0.02 Ом, 10 В, 2 В

Поставка электронных компонентов в Челябинск

220,00 руб.

Артикул: 1132669 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	220,00руб.	204,60руб.	198,00руб.	193,60руб.	187,00руб.	176,00руб.	171,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	413,60руб.	380,60руб.	374,00руб.	365,20руб.	352,00руб.	332,20руб.	323,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	420,20руб.	387,20руб.	378,40руб.	369,60руб.	352,00руб.	334,40руб.	327,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	264,00руб.	242,00руб.	237,60руб.	231,00руб.	224,40руб.	211,20руб.	204,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	382,80руб.	352,00руб.	343,20руб.	336,60руб.	325,60руб.	305,80руб.	297,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	239,80руб.	222,20руб.	215,60руб.	211,20руб.	204,60руб.	191,40руб.	187,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NDB6060L, МОП-транзистор, N Канал, 48 А, 60 В, 0.02 Ом, 10 В, 2 ВThe NDB6060L is a logic level N-channel enhancement-mode power FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.

• Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
• Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
• High density cell design for extremely low RDS (ON)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263AB
Рассеиваемая Мощность	100Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	48А