7

FDC655BN, МОП-транзистор, N Канал, 6.3 А, 30 В, 0.021 Ом

Поставка электронных компонентов в Челябинск

13,00 руб.

x 13,00 = 13,00
Артикул: 1133861 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней13,00руб.12,09руб.11,70руб.11,44руб.10,66руб.10,40руб.10,14руб.9,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней23,53руб.21,58руб.21,19руб.20,67руб.19,24руб.18,85руб.18,33руб.16,51руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней30,42руб.28,08руб.27,43руб.26,78руб.24,96руб.24,31руб.23,79руб.21,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней15,60руб.14,30руб.14,04руб.13,65руб.12,74руб.12,48руб.12,09руб.10,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней30,03руб.27,69руб.27,04руб.26,39руб.25,61руб.24,70руб.23,40руб.21,06руб.

Характеристики

FDC655BN, МОП-транзистор, N Канал, 6.3 А, 30 В, 0.021 Ом The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SuperSOT
Рассеиваемая Мощность

1.6Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

6.3А