5adc7af4505e4f0a8f05d5428c70a507

FDD16AN08A0, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 75 В, 13 мОм

Поставка электронных компонентов в Челябинск

160,00 руб.

x 160,00 = 160,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней160,00руб.148,80руб.144,00руб.140,80руб.136,00руб.128,00руб.124,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней300,80руб.276,80руб.272,00руб.265,60руб.256,00руб.241,60руб.235,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней305,60руб.281,60руб.275,20руб.268,80руб.256,00руб.243,20руб.238,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней192,00руб.176,00руб.172,80руб.168,00руб.163,20руб.153,60руб.148,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней278,40руб.256,00руб.249,60руб.244,80руб.236,80руб.222,40руб.216,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней174,40руб.161,60руб.156,80руб.153,60руб.148,80руб.139,20руб.136,00руб.

Характеристики

FDD16AN08A0, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 75 В, 13 мОм The FDD16AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA

Рассеиваемая Мощность

135Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

75в

Непрерывный Ток Стока

50А