e11a5e7af1c24b277ba4a2f22df6401d

IRF6621TR1, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 7 мОм

Поставка электронных компонентов в Челябинск

86,00 руб.

x 86,00 = 86,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней86,00руб.79,98руб.77,40руб.75,68руб.70,52руб.68,80руб.67,08руб.61,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней155,66руб.142,76руб.140,18руб.136,74руб.127,28руб.124,70руб.121,26руб.109,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней201,24руб.185,76руб.181,46руб.177,16руб.165,12руб.160,82руб.157,38руб.141,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней103,20руб.94,60руб.92,88руб.90,30руб.84,28руб.82,56руб.79,98руб.72,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней198,66руб.183,18руб.178,88руб.174,58руб.169,42руб.163,40руб.154,80руб.139,32руб.

Характеристики

IRF6621TR1, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 7 мОм The IRF6621TR1 is a DirectFET™ N-channel Power MOSFET ideal for CPU core DC-to-DC converters. It combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest ON-state resistance in a package. It is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infrared or convection soldering techniques. It allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. It balances both low resistance and low charge along with ultra-low package inductance to reduce both conduction and switching losses. The IRF6621 has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operating from 12V bus converters including RDS (ON) and gate charge to minimize losses in the control FET socket. It is optimized for high frequency switching and control FET application.

• Dual-sided cooling compatible
• Low conduction and switching losses
• Compatible with existing surface-mount techniques

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

7вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

DirectFET SQ

Рассеиваемая Мощность

2.2Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

12А