10

IRFI4110GPBF, МОП-транзистор, N Канал, 72 А, 100 В, 3.7 мОм

Поставка электронных компонентов в Челябинск

360,00 руб.

x 360,00 = 360,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней360,00руб.334,80руб.324,00руб.316,80руб.306,00руб.288,00руб.280,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней676,80руб.622,80руб.612,00руб.597,60руб.576,00руб.543,60руб.529,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней687,60руб.633,60руб.619,20руб.604,80руб.576,00руб.547,20руб.536,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней432,00руб.396,00руб.388,80руб.378,00руб.367,20руб.345,60руб.334,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней626,40руб.576,00руб.561,60руб.550,80руб.532,80руб.500,40руб.486,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней392,40руб.363,60руб.352,80руб.345,60руб.334,80руб.313,20руб.306,00руб.

Характеристики

IRFI4110GPBF, МОП-транзистор, N Канал, 72 А, 100 В, 3.7 мОм The IRFI4110GPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp

Рассеиваемая Мощность

61Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

72А