712

IXFB132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 132 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Челябинск

1.540,00 руб.

x 1.540,00 = 1.540,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.540,00руб.1.432,20руб.1.355,20руб.1.309,00руб.1.262,80руб.1.239,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.740,20руб.1.570,80руб.1.540,00руб.1.478,40руб.1.432,20руб.1.401,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.878,80руб.1.694,00руб.1.647,80руб.1.601,60руб.1.509,20руб.1.416,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.832,60руб.1.647,80руб.1.617,00руб.1.555,40руб.1.493,80руб.1.409,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.618,00руб.2.356,20руб.2.310,00руб.2.217,60руб.2.140,60руб.1.955,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.602,60руб.2.340,80руб.2.291,52руб.2.202,20руб.2.125,20руб.1.940,40руб.

Характеристики

IXFB132N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 132 А, 500 В The IXFB132N50P3 is a Polar3™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The Polar3™ power MOSFET family is the latest addition to IXYS benchmark high-performance polar-series power MOSFET product line. This new device is manufactured using IXYS proprietary Polar3™ technology platform, yielding new and improved device that features an optimized combination of low ON-state resistance and gate charge. The end result is a device that achieves a figure of merit (FOM) performance index (device ON-resistance multiplied by gate charge) as low as 9.6RnC. Additional device features include low thermal resistances (RthJC), dynamic dV/dt ratings, high power dissipation (Pd) and high avalanche energy capabilities. These outstanding electrical and thermal device characteristics are essential for implementing improved power efficiency and reliability in today’s demanding high-voltage conversion system.

• Dynamic dV/dt rating
• Avalanche rating
• High power dissipation (Pd)
• Low thermal resistance (Rthjc)
• Fast intrinsic rectifier
• Low gate drive power requirements
• Low package inductance
• High power density
• Reduces conduction and switching losses
• Enables high-speed switching
• Promotes use of smaller passive components
• Promotes use of simple economical gate drive solutions
• Cooler device operation
• Enables system miniaturization
• Increased device ruggedness
• Easy to mount

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264

Рассеиваемая Мощность

1.89кВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500в

Непрерывный Ток Стока

132А