69.000,00 руб.
FF8MR12W2M1B11BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 А, 1.2 кВ, 0.0075 Ом, Module
| Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
| Склад №1 | 10-12 дней | 69.000,00руб. | 64.170,00руб. | 60.720,00руб. | 58.650,00руб. | 56.580,00руб. |
| Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
| Склад №2 | 10-12 дней | 84.180,00руб. | 73.140,00руб. | 68.310,00руб. | 65.550,00руб. | 57.960,00руб. |
| Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
| Склад №3 | 7 дней | 91.080,00руб. | 86.250,00руб. | 82.110,00руб. | 77.280,00руб. | 68.310,00руб. |
| Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
| Склад №4 | 10 дней | 82.110,00руб. | 77.970,00руб. | 73.830,00руб. | 69.690,00руб. | 61.410,00руб. |
| Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
| Склад №5 | 10-12 дней | 76.590,00руб. | 72.450,00руб. | 68.310,00руб. | 64.860,00руб. | 57.270,00руб. |
| Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 30шт | 100шт | 250шт |
| Склад №6 | 6 дней | 95.220,00руб. | 90.390,00руб. | 85.560,00руб. | 80.730,00руб. | 71.760,00руб. |
Channel Type Dual N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0075Ом
Конфигурация МОП-транзистора Half Bridge
Линейка Продукции EasyDUAL
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 150А
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 4.5В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0075Ом
Стиль Корпуса Транзистора Module
Вес, г 10
Загрузка
Личный кабинет
