27919bd942208df41ee87ea1fe0f71b4

Микросхема 24LC64-I/SN, Последовательная энергонезависимая память …

Поставка электронных компонентов в Челябинск

20,58 руб.

x 20,58 = 20,58
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,58руб.19,14руб.18,52руб.18,11руб.16,88руб.16,46руб.16,05руб.14,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней37,25руб.34,16руб.33,55руб.32,72руб.30,46руб.29,84руб.29,02руб.26,14руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней48,16руб.44,45руб.43,42руб.42,39руб.39,51руб.38,48руб.37,66руб.33,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,70руб.22,64руб.22,23руб.21,61руб.20,17руб.19,76руб.19,14руб.17,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней47,54руб.43,84руб.42,81руб.41,78руб.40,54руб.39,10руб.37,04руб.33,34руб.

Характеристики

24LC64-I/SN, Последовательная энергонезависимая память …The 24LC64T-I/SN is a 64kB I²C serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) organized as a single block of 8K x 8-bit memory with a 2-wire serial interface. Low-voltage design permits operation down to 1.7V, with standby and active currents of only 1mA and 1mA, respectively. It has been developed for advanced, low-power applications such as personal communications or data acquisition. The 24XX64 also has a page write capability for up to 32 bytes of data. Functional address lines allow up to eight devices on the same bus, for up to 512kB address space.

• Single supply with operation down to 2.5V
• Low-power CMOS technology
• 2-wire serial interface (I²C™ compatible)
• Schmitt trigger inputs for noise suppression
• Output slope control to eliminate ground bounce
• 100 and 400kHz Clock compatibility
• Page write time 5ms maximum
• Self-timed erase/write cycle
• 32-byte page write buffer
• Hardware write-protect 1/4 array
• ESD protection >4000V
• More than 1million erase/write cycles
• Data retention >200 years