16

FDB047N10, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0039 Ом

Поставка электронных компонентов в Челябинск

410,00 руб.

x 410,00 = 410,00
Артикул: 1133846 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней410,00руб.381,30руб.369,00руб.360,80руб.348,50руб.328,00руб.319,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней770,80руб.709,30руб.697,00руб.680,60руб.656,00руб.619,10руб.602,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней783,10руб.721,60руб.705,20руб.688,80руб.656,00руб.623,20руб.610,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней492,00руб.451,00руб.442,80руб.430,50руб.418,20руб.393,60руб.381,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней713,40руб.656,00руб.639,60руб.627,30руб.606,80руб.569,90руб.553,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней446,90руб.414,10руб.401,80руб.393,60руб.381,30руб.356,70руб.348,50руб.

Характеристики

FDB047N10, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0039 Ом The FDB047N10 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and micro solar inverter.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

375Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

120А