FDMA3027PZ, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.3 А

Поставка электронных компонентов в Челябинск

100,00 руб.

Артикул: 1131706 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	100,00руб.	93,00руб.	90,00руб.	88,00руб.	85,00руб.	80,00руб.	78,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	188,00руб.	173,00руб.	170,00руб.	166,00руб.	160,00руб.	151,00руб.	147,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	191,00руб.	176,00руб.	172,00руб.	168,00руб.	160,00руб.	152,00руб.	149,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	120,00руб.	110,00руб.	108,00руб.	105,00руб.	102,00руб.	96,00руб.	93,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	174,00руб.	160,00руб.	156,00руб.	153,00руб.	148,00руб.	139,00руб.	135,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	109,00руб.	101,00руб.	98,00руб.	96,00руб.	93,00руб.	87,00руб.	85,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDMA3027PZ, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -3.3 А The FDMA3027PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2×2 thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level and it is suitable for use with load switch and discrete gate driver applications.

• Low profile
• ±25V Gate to source voltage
• -3.3A Continuous drain current
• -15A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	uFET
Рассеиваемая Мощность	1.4Вт
Полярность Транзистора	Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-30В
Непрерывный Ток Стока	-3.3А