1925

FDS6375, МОП-транзистор, P Канал, 8 А, -20 В, 24 мОм

Поставка электронных компонентов в Челябинск

76,00 руб.

x 76,00 = 76,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней76,00руб.70,68руб.68,40руб.66,88руб.62,32руб.60,80руб.59,28руб.54,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней137,56руб.126,16руб.123,88руб.120,84руб.112,48руб.110,20руб.107,16руб.96,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней177,84руб.164,16руб.160,36руб.156,56руб.145,92руб.142,12руб.139,08руб.124,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней91,20руб.83,60руб.82,08руб.79,80руб.74,48руб.72,96руб.70,68руб.63,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней175,56руб.161,88руб.158,08руб.154,28руб.149,72руб.144,40руб.136,80руб.123,12руб.

Характеристики

FDS6375, МОП-транзистор, P Канал, 8 А, -20 В, 24 мОм The FDS6375 is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild’s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating — MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока