Заполнитель

IRFB4410PBF, Транзистор, N-канал 100В 96А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Челябинск

168,00 руб.

x 168,00 = 168,00
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней168,00руб.156,24руб.151,20руб.147,84руб.142,80руб.134,40руб.131,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней315,84руб.290,64руб.285,60руб.278,88руб.268,80руб.253,68руб.246,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней320,88руб.295,68руб.288,96руб.282,24руб.268,80руб.255,36руб.250,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней201,60руб.184,80руб.181,44руб.176,40руб.171,36руб.161,28руб.156,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней292,32руб.268,80руб.262,08руб.257,04руб.248,64руб.233,52руб.226,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней183,12руб.169,68руб.164,64руб.161,28руб.156,24руб.146,16руб.142,80руб.

Характеристики

IRFB4410PBF, Транзистор, N-канал 100В 96А [TO-220AB]The IRFB4410PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Fast switching

Дополнительная информация

Корпус

to220ab

Структура

n-канал