IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В

Поставка электронных компонентов в Челябинск

150,00 руб.

Артикул: 1126097 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	150,00руб.	139,50руб.	135,00руб.	132,00руб.	127,50руб.	120,00руб.	117,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	282,00руб.	259,50руб.	255,00руб.	249,00руб.	240,00руб.	226,50руб.	220,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	286,50руб.	264,00руб.	258,00руб.	252,00руб.	240,00руб.	228,00руб.	223,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	180,00руб.	165,00руб.	162,00руб.	157,50руб.	153,00руб.	144,00руб.	139,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	261,00руб.	240,00руб.	234,00руб.	229,50руб.	222,00руб.	208,50руб.	202,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	163,50руб.	151,50руб.	147,00руб.	144,00руб.	139,50руб.	130,50руб.	127,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB7530PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 60В The IRFB7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал