STB23NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 150 мОм

Поставка электронных компонентов в Челябинск

330,00 руб.

Артикул: 1133046 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	330,00руб.	306,90руб.	297,00руб.	290,40руб.	280,50руб.	264,00руб.	257,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	620,40руб.	570,90руб.	561,00руб.	547,80руб.	528,00руб.	498,30руб.	485,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	630,30руб.	580,80руб.	567,60руб.	554,40руб.	528,00руб.	501,60руб.	491,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	396,00руб.	363,00руб.	356,40руб.	346,50руб.	336,60руб.	316,80руб.	306,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	574,20руб.	528,00руб.	514,80руб.	504,90руб.	488,40руб.	458,70руб.	445,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	359,70руб.	333,30руб.	323,40руб.	316,80руб.	306,90руб.	287,10руб.	280,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STB23NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 150 мОм The STB23NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• High dV/dt and avalanche capabilities

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	600в
Непрерывный Ток Стока	10а