Заполнитель

STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал

Поставка электронных компонентов в Челябинск

36,00 руб.

x 36,00 = 36,00
Артикул: 1126847 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Челябинск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней36,00руб.33,48руб.32,40руб.31,68руб.29,52руб.28,80руб.28,08руб.25,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней65,16руб.59,76руб.58,68руб.57,24руб.53,28руб.52,20руб.50,76руб.45,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней84,24руб.77,76руб.75,96руб.74,16руб.69,12руб.67,32руб.65,88руб.59,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней43,20руб.39,60руб.38,88руб.37,80руб.35,28руб.34,56руб.33,48руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней83,16руб.76,68руб.74,88руб.73,08руб.70,92руб.68,40руб.64,80руб.58,32руб.

Характеристики

STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал The STP10NK60Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST’s well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• Extremely high dV/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал